Μνήμη RAM Φορητού DDR4 8GB SO 2666 CL19 Transcend JetRam, JM2666HSG-8G
εως 36 δόσεις με πιστωτική κάρτα
Χρειάζεσαι Βοήθεια; Συμπλήρωσε τα στοιχεία σου για να σε καλέσουμε άμεσα!
Έως 36 Δόσεις. Δείτε το πλάνο δόσεων:
TBI Bank
Buy Now Pay Later.
4 δόσεις 0% επιτόκιο, 20€ έως 300€
3 έως 60 δόσεις 300€ έως 100.00€
- 1. Αποστολή με ACS Courier
- 2. Αποστολές με μεταφορικές εταιρίες για ογκώδη αντικείμενα
-
3. Παραλαβή από αυτόματο μηχάνημα BoxNow:
Με την BoxNow μπορείς να παραλάβεις το δέμα σου από Αυτόματο Μηχάνημα Παραλαβής που βρίσκεται κοντά σου, όλες τις ώρες της ημέρας 24/7. Η υπηρεσία έχει χρέωση 3€. Υπάρχει δυνατότητα αντικαταβολής με επιπλέον χρέωση 1€.
-
4. Παραλαβή από το κατάστημα:
Λεωφ. Ελ. Βενιζέλου 73(πρώην Θησέως), Καλλιθέα
Συμπληρώστε τον ταχυδρομικό κωδικό για να λάβετε εκτίμηση τρόπου και κόστους μεταφορικών.
Το Transcend JetRam JM2666HSG-8G είναι ένα εξαιρετικό μνημόνιο σχεδιασμένο για αναβαθμίσεις φορητών υπολογιστών. Διαθέτει μια εντυπωσιακή 8GB DDR4-2666 MHz CL19 διάταξη που παρέχει απρόσκοπτη ενσωμάτωσή της σε συστήματα DDR4.
Αυτό το μνημόνιο διαθέτει φόρμα 260-pin και λειτουργεί με ονομαστική τάση 1.2V, εξασφαλίζοντας αποτελεσματική κατανάλωση ενέργειας ενώ διατηρεί τις επιδόσεις. Η διάταξη single-rank (1Rx16) και 1Gx16 DRAM είναι προσαρμοσμένη για βέλτιστη λειτουργία.
Κύρια Τεχνικά Χαρακτηριστικά:
- Χωρητικότητα: 8GB (1 x 8GB module).
- Τύπος: DDR4 SO-DIMM, unbuffered, non-ECC.
- Ταχύτητα: 2666 MHz (MT/s), με εύρος ζώνης έως 21 GB/s.
- Χρόνοι: CAS Latency (CL) 19.
- Τάση: 1.2V για εξοικονόμηση ενέργειας έως 40% σε σύγκριση με το 1.5V DDR3.
Με ETT-grade DRAM chips, αυτό το μνημόνιο έχει σχεδιαστεί για αξιοπιστία, προσφέροντας πιο δροσερή λειτουργία και βελτιώνοντας εργασίες με υψηλές απαιτήσεις δεδομένων, όπως ταχύτερους χρόνους εκκίνησης και συνολική απόκριση.
-
Capacity8GB
-
TypeDDR4 SO-DIMM, unbuffered, non-ECC
-
Speed2666 MHz
-
TimingsCAS Latency 19
-
Voltage1.2V
-
Pins260-pin
Αξιολογήσεις
Περιγραφή
Το Transcend JetRam JM2666HSG-8G είναι ένα εξαιρετικό μνημόνιο σχεδιασμένο για αναβαθμίσεις φορητών υπολογιστών. Διαθέτει μια εντυπωσιακή 8GB DDR4-2666 MHz CL19 διάταξη που παρέχει απρόσκοπτη ενσωμάτωσή της σε συστήματα DDR4.
Αυτό το μνημόνιο διαθέτει φόρμα 260-pin και λειτουργεί με ονομαστική τάση 1.2V, εξασφαλίζοντας αποτελεσματική κατανάλωση ενέργειας ενώ διατηρεί τις επιδόσεις. Η διάταξη single-rank (1Rx16) και 1Gx16 DRAM είναι προσαρμοσμένη για βέλτιστη λειτουργία.
Κύρια Τεχνικά Χαρακτηριστικά:
- Χωρητικότητα: 8GB (1 x 8GB module).
- Τύπος: DDR4 SO-DIMM, unbuffered, non-ECC.
- Ταχύτητα: 2666 MHz (MT/s), με εύρος ζώνης έως 21 GB/s.
- Χρόνοι: CAS Latency (CL) 19.
- Τάση: 1.2V για εξοικονόμηση ενέργειας έως 40% σε σύγκριση με το 1.5V DDR3.
Με ETT-grade DRAM chips, αυτό το μνημόνιο έχει σχεδιαστεί για αξιοπιστία, προσφέροντας πιο δροσερή λειτουργία και βελτιώνοντας εργασίες με υψηλές απαιτήσεις δεδομένων, όπως ταχύτερους χρόνους εκκίνησης και συνολική απόκριση.
Τεχνικά Χαρακτηριστικά
-
Capacity8GB
-
TypeDDR4 SO-DIMM, unbuffered, non-ECC
-
Speed2666 MHz
-
TimingsCAS Latency 19
-
Voltage1.2V
-
Pins260-pin