Μικροηλεκτρονικά Allnet BrickRknowledge Transistor p-MOS IRF4905
εως 36 δόσεις με πιστωτική κάρτα
Χρειάζεσαι Βοήθεια; Συμπλήρωσε τα στοιχεία σου για να σε καλέσουμε άμεσα!
4 δόσεις 0% επιτόκιο, 20€ έως 300€
3 έως 60 δόσεις 300€ έως 100.00€
Ο ALLNET BrickRknowledge Transistor p-MOS IRF4905 είναι ένας υψηλής απόδοσης P-channel MOSFET σχεδιασμένος για διάφορες ηλεκτρονικές εφαρμογές. Λειτουργεί σε τρόποι ενίσχυσης, κάνοντάς τον ιδανικό για εφαρμογές όπου η αποδοτική και αξιόπιστη έλεγχος ρεύματος είναι κρίσιμη.
Αυτός ο τρανζίστορας είναι τοποθετημένος σε πακέτο TO-220AB, το οποίο διευκολύνει την απρόσκοπτη ενσωμάτωσή του σε ηλεκτρονικά κυκλώματα.
Κύριες Τεχνικές Προδιαγραφές:
- Τύπος Τρανζίστορα: P-channel MOSFET
- Μέγιστη Τάση Σε Δράση (Vds): -55 V
- Μέγιστο Ρεύμα Δράσης (Id): -74 A σε 25°C
- Τάση Ορίου Πύλης (Vgs(th)): -2 V έως -4 V
- Μέγιστη Διαφορά Τάσης Πύλης-Πηγής (Vgs): ±20 V
- Μέγιστη Ικανότητα Διάχυσης Ικανότητας: 200 W
- Μέγιστη Θερμοκρασία Λειτουργίας: 175°C
- Αντίσταση Κατά Κατάσταση: 0.02 Ω (Vgs = -10 V)
- Τύπος Πακέτου: TO-220AB
- Τύπος Στερέωσης: Through Hole
Επισημασμένα Χαρακτηριστικά:
- Υψηλή Ικανότητα Ρεύματος: Ικανός να χειριστεί σημαντικά ρεύματα δράσης.
- Χαμηλή Αντίσταση Κατά Κατάσταση: Διασφαλίζει υψηλή αποδοτικότητα κατά τη λειτουργία.
- Θερμική Σταθερότητα: Σταθερή λειτουργία σε ευρείες θερμοκρασίες.
- Υψηλή Αξιοπιστία: Σχεδιασμένος ειδικά για εφαρμογές ηλεκτρονικών κυκλωμάτων υψηλής αξιοπιστίας.
Συνολικά, το IRF4905 ξεχωρίζει ως εξαιρετική επιλογή για τροφοδοσίες, συστήματα ελέγχου κινητήρα, συσκευές ήχου και αυτοκινητιστικά συστήματα.
-
Type of TransistorP-channel MOSFET
-
Maximum Drain-Source Voltage (Vds)-55 V
-
Maximum Drain Current (Id)-74 A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))-2 V to -4 V
-
Maximum Gate-Source Voltage Difference (Vgs)±20 V
-
Maximum Power Dissipation200 W
-
Maximum Operating Temperature175°C
-
On-state Resistance0.02 Ω
-
Package TypeTO-220AB
-
Mounting TypeThrough Hole
Αξιολογήσεις
Περιγραφή
Ο ALLNET BrickRknowledge Transistor p-MOS IRF4905 είναι ένας υψηλής απόδοσης P-channel MOSFET σχεδιασμένος για διάφορες ηλεκτρονικές εφαρμογές. Λειτουργεί σε τρόποι ενίσχυσης, κάνοντάς τον ιδανικό για εφαρμογές όπου η αποδοτική και αξιόπιστη έλεγχος ρεύματος είναι κρίσιμη.
Αυτός ο τρανζίστορας είναι τοποθετημένος σε πακέτο TO-220AB, το οποίο διευκολύνει την απρόσκοπτη ενσωμάτωσή του σε ηλεκτρονικά κυκλώματα.
Κύριες Τεχνικές Προδιαγραφές:
- Τύπος Τρανζίστορα: P-channel MOSFET
- Μέγιστη Τάση Σε Δράση (Vds): -55 V
- Μέγιστο Ρεύμα Δράσης (Id): -74 A σε 25°C
- Τάση Ορίου Πύλης (Vgs(th)): -2 V έως -4 V
- Μέγιστη Διαφορά Τάσης Πύλης-Πηγής (Vgs): ±20 V
- Μέγιστη Ικανότητα Διάχυσης Ικανότητας: 200 W
- Μέγιστη Θερμοκρασία Λειτουργίας: 175°C
- Αντίσταση Κατά Κατάσταση: 0.02 Ω (Vgs = -10 V)
- Τύπος Πακέτου: TO-220AB
- Τύπος Στερέωσης: Through Hole
Επισημασμένα Χαρακτηριστικά:
- Υψηλή Ικανότητα Ρεύματος: Ικανός να χειριστεί σημαντικά ρεύματα δράσης.
- Χαμηλή Αντίσταση Κατά Κατάσταση: Διασφαλίζει υψηλή αποδοτικότητα κατά τη λειτουργία.
- Θερμική Σταθερότητα: Σταθερή λειτουργία σε ευρείες θερμοκρασίες.
- Υψηλή Αξιοπιστία: Σχεδιασμένος ειδικά για εφαρμογές ηλεκτρονικών κυκλωμάτων υψηλής αξιοπιστίας.
Συνολικά, το IRF4905 ξεχωρίζει ως εξαιρετική επιλογή για τροφοδοσίες, συστήματα ελέγχου κινητήρα, συσκευές ήχου και αυτοκινητιστικά συστήματα.
Τεχνικά Χαρακτηριστικά
-
Type of TransistorP-channel MOSFET
-
Maximum Drain-Source Voltage (Vds)-55 V
-
Maximum Drain Current (Id)-74 A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))-2 V to -4 V
-
Maximum Gate-Source Voltage Difference (Vgs)±20 V
-
Maximum Power Dissipation200 W
-
Maximum Operating Temperature175°C
-
On-state Resistance0.02 Ω
-
Package TypeTO-220AB
-
Mounting TypeThrough Hole