Μικροηλεκτρονικά Allnet BrickRknowledge Transistor p-MOS IRF4905
| Πλάνο δόσεων | Ποσό / μήνα |
|---|---|
| 2 | 18,22 € |
| 4 | 9,16 € |
| 6 | 6,14 € |
| 8 | 4,63 € |
| 10 | 3,72 € |
| 12 | 3,12 € |
| 18 | 2,11 € |
| 24 | 1,61 € |
| 36 | 1,11 € |
Συμπλήρωσε τα στοιχεία σου για να σε καλέσουμε άμεσα.
-
Παραλαβή από το κατάστημα:Λεωφ. Ελ. Βενιζέλου 73(πρώην Θησέως), Καλλιθέα
-
Παραλαβή από αυτόματο μηχάνημα BoxNow:Με την BoxNow μπορείς να παραλάβεις το δέμα σου από Αυτόματο Μηχάνημα Παραλαβής που βρίσκεται κοντά σου όλες τις ώρες της ημέρας 24/7. Δυνατότητα αντικαταβολής με επιπλέον χρέωση 1€
-
Αποστολή στον χώρο σας(Υπολογισμός μεταφορικών):
Αναλυτική Περιγραφή
Ο ALLNET BrickRknowledge Transistor p-MOS IRF4905 είναι ένας υψηλής απόδοσης P-channel MOSFET σχεδιασμένος για διάφορες ηλεκτρονικές εφαρμογές. Λειτουργεί σε τρόποι ενίσχυσης, κάνοντάς τον ιδανικό για εφαρμογές όπου η αποδοτική και αξιόπιστη έλεγχος ρεύματος είναι κρίσιμη.
Αυτός ο τρανζίστορας είναι τοποθετημένος σε πακέτο TO-220AB, το οποίο διευκολύνει την απρόσκοπτη ενσωμάτωσή του σε ηλεκτρονικά κυκλώματα.
Κύριες Τεχνικές Προδιαγραφές:
- Τύπος Τρανζίστορα: P-channel MOSFET
- Μέγιστη Τάση Σε Δράση (Vds): -55 V
- Μέγιστο Ρεύμα Δράσης (Id): -74 A σε 25°C
- Τάση Ορίου Πύλης (Vgs(th)): -2 V έως -4 V
- Μέγιστη Διαφορά Τάσης Πύλης-Πηγής (Vgs): ±20 V
- Μέγιστη Ικανότητα Διάχυσης Ικανότητας: 200 W
- Μέγιστη Θερμοκρασία Λειτουργίας: 175°C
- Αντίσταση Κατά Κατάσταση: 0.02 Ω (Vgs = -10 V)
- Τύπος Πακέτου: TO-220AB
- Τύπος Στερέωσης: Through Hole
Επισημασμένα Χαρακτηριστικά:
- Υψηλή Ικανότητα Ρεύματος: Ικανός να χειριστεί σημαντικά ρεύματα δράσης.
- Χαμηλή Αντίσταση Κατά Κατάσταση: Διασφαλίζει υψηλή αποδοτικότητα κατά τη λειτουργία.
- Θερμική Σταθερότητα: Σταθερή λειτουργία σε ευρείες θερμοκρασίες.
- Υψηλή Αξιοπιστία: Σχεδιασμένος ειδικά για εφαρμογές ηλεκτρονικών κυκλωμάτων υψηλής αξιοπιστίας.
Συνολικά, το IRF4905 ξεχωρίζει ως εξαιρετική επιλογή για τροφοδοσίες, συστήματα ελέγχου κινητήρα, συσκευές ήχου και αυτοκινητιστικά συστήματα.
Τεχνικά Χαρακτηριστικά
-
Type of Transistor
- P-channel MOSFET
-
Maximum Drain-Source Voltage (Vds)
- -55 V
-
Maximum Drain Current (Id)
- -74 A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
- -2 V to -4 V
-
Maximum Gate-Source Voltage Difference (Vgs)
- ±20 V
-
Maximum Power Dissipation
- 200 W
-
Maximum Operating Temperature
- 175°C
-
On-state Resistance
- 0.02 Ω
-
Package Type
- TO-220AB
-
Mounting Type
- Through Hole