Κωδ. Προϊόντος: 1173522797

Μικροηλεκτρονικά Allnet BrickRknowledge Transistor p-MOS IRF4905

35,42 €
TBI Bank
Έως 36 δόσεις με πιστωτική κάρτα x 1,11€ / μήνα 
Διαθεσιμότητα Προϊόντος
call us
Θέλεις βοήθεια;

Συμπλήρωσε τα στοιχεία σου για να σε καλέσουμε άμεσα.

Καλέστε με τώρα!
Αγορά
Τρόποι Παραλαβής/Αποστολής
  • Παραλαβή από το κατάστημα:
    Λεωφ. Ελ. Βενιζέλου 73(πρώην Θησέως), Καλλιθέα
  • Παραλαβή από αυτόματο μηχάνημα BoxNow:
    Με την BoxNow μπορείς να παραλάβεις το δέμα σου από Αυτόματο Μηχάνημα Παραλαβής που βρίσκεται κοντά σου όλες τις ώρες της ημέρας 24/7. Δυνατότητα αντικαταβολής με επιπλέον χρέωση 1€
  • Αποστολή στον χώρο σας(Υπολογισμός μεταφορικών):

Αναλυτική Περιγραφή

Ο ALLNET BrickRknowledge Transistor p-MOS IRF4905 είναι ένας υψηλής απόδοσης P-channel MOSFET σχεδιασμένος για διάφορες ηλεκτρονικές εφαρμογές. Λειτουργεί σε τρόποι ενίσχυσης, κάνοντάς τον ιδανικό για εφαρμογές όπου η αποδοτική και αξιόπιστη έλεγχος ρεύματος είναι κρίσιμη.

Αυτός ο τρανζίστορας είναι τοποθετημένος σε πακέτο TO-220AB, το οποίο διευκολύνει την απρόσκοπτη ενσωμάτωσή του σε ηλεκτρονικά κυκλώματα.

Κύριες Τεχνικές Προδιαγραφές:

  • Τύπος Τρανζίστορα: P-channel MOSFET
  • Μέγιστη Τάση Σε Δράση (Vds): -55 V
  • Μέγιστο Ρεύμα Δράσης (Id): -74 A σε 25°C
  • Τάση Ορίου Πύλης (Vgs(th)): -2 V έως -4 V
  • Μέγιστη Διαφορά Τάσης Πύλης-Πηγής (Vgs): ±20 V
  • Μέγιστη Ικανότητα Διάχυσης Ικανότητας: 200 W
  • Μέγιστη Θερμοκρασία Λειτουργίας: 175°C
  • Αντίσταση Κατά Κατάσταση: 0.02 Ω (Vgs = -10 V)
  • Τύπος Πακέτου: TO-220AB
  • Τύπος Στερέωσης: Through Hole

Επισημασμένα Χαρακτηριστικά:

  • Υψηλή Ικανότητα Ρεύματος: Ικανός να χειριστεί σημαντικά ρεύματα δράσης.
  • Χαμηλή Αντίσταση Κατά Κατάσταση: Διασφαλίζει υψηλή αποδοτικότητα κατά τη λειτουργία.
  • Θερμική Σταθερότητα: Σταθερή λειτουργία σε ευρείες θερμοκρασίες.
  • Υψηλή Αξιοπιστία: Σχεδιασμένος ειδικά για εφαρμογές ηλεκτρονικών κυκλωμάτων υψηλής αξιοπιστίας.

Συνολικά, το IRF4905 ξεχωρίζει ως εξαιρετική επιλογή για τροφοδοσίες, συστήματα ελέγχου κινητήρα, συσκευές ήχου και αυτοκινητιστικά συστήματα.

Τεχνικά Χαρακτηριστικά

  • Type of Transistor
    • P-channel MOSFET
  • Maximum Drain-Source Voltage (Vds)
    • -55 V
  • Maximum Drain Current (Id)
    • -74 A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
    • -2 V to -4 V
  • Maximum Gate-Source Voltage Difference (Vgs)
    • ±20 V
  • Maximum Power Dissipation
    • 200 W
  • Maximum Operating Temperature
    • 175°C
  • On-state Resistance
    • 0.02 Ω
  • Package Type
    • TO-220AB
  • Mounting Type
    • Through Hole

Άμεσα Διαθέσιμα